PHỔ HẤP THỤ CỦA CẶP ĐIỆN TỬ - LỖ TRỐNG TRONG CHẤM LƯỢNG TỬ InAs/AlAs
Abstract
Trong bài báo này chúng tôi trình bày nghiên cứu về phổ hấp thụ của cặp điện tử - lỗ trống trong chấm lượng tử InAs/AlAs. Chúng tôi khảo sát phổ hấp thụ trong trường hợp trong hệ tồn tại đồng thời hai loại sóng điện từ. Kết quả thu được cho thấy khi có sóng điện từ cộng hưởng có cường độ mạnh chúng tôi thu được hai đỉnh hấp thụ của chuyển dời quang của cặp điện tử - lỗ trống. Chúng tôi cũng thu được sự phụ thuộc của độ lớn và vị trí của các đỉnh hấp thụ vào độ lệch cộng hưởng của sóng điện từ và bán kính của chấm lượng tửReferences
B. Bhushan (Editor): Springer Handbook of Nanotechnology, (Springer, Singapore, 2010) 1st ed., Part A, Chap. 7, p. 224.
L. Bányai and S. W. Koch: Semiconductor Quantum Dots (World Scientific, Singapore, 1993) 1st ed., Chap. 1, a) p. 1; b) p. 5; c) pp. 11-15; d) p. 117.
A. Tartakovskii (Editor), Quantum Dots: Optics, Electron Transport and Future Applications (Cam-bridge University Press, Cambridge New York, 2012) 1st ed., Chap. 2, p. 23.
A. Mysyrowicz, D. Hulin, A. Antonetti, A. Migus, W. T. Masselink, and H. Morkoç, Phys. Rev. Lett., 56, 2748 (1986).
D. Fröhlich, R. Wille, W. Schlapp, and G. Weimann, Phys. Rev. Lett. 59, 1748 (1987).
N. H. Quang and A. I. Bobrysheva, Phys. Scr., 47, 121 (1993).
C. L. Gall, A. Brunetti, H. Boukari, and L. Besombes, Phys. Rev. Lett., 107, 057401 (2011).
C. Biswas, H. Jeong, M. S. Jeong, W. J. Yu, D. Pribat and Y. H. Lee, Advanced Functional Materials, 23, 3653 (2013).
D. N. Thao, D. D. Phuoc, L. T. N. Bao, and N. H. Quang, to be submitted on Journal of the Physical Society of Japan (2015).
