NGHIÊN CỨU CỘNG HƯỞNG CYCLOTRON-TẠP CHẤT TRONG SILICENE DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN TRƯỜNG KHÔNG ĐỔI

Tóm tắt

Chúng tôi nghiên cứu cộng hưởng cyclotron-tạp chất thông qua phổ hấp thụ trong silicene đơn lớp được đặt trong trường sóng điện từ (trường quang học) và từ trường vuông góc. Ảnh hưởng của một điện trường không đổi cũng được khảo sát.  Hệ số hấp thụ phi tuyến được tính toán bằng lý thuyết nhiễu loạn khi xét đến sự tán xạ electron-tạp chất. Từ đó, sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ sóng điện từ vào năng lượng photon được khảo sát. Kết quả cho thấy điện trường và từ trường ảnh hưởng mạnh lên phổ cộng hưởng của silicene đơn lớp. Khi tăng giá trị của điện trường thì giá trị của hệ số hấp thụ tại các đỉnh cộng hưởng tăng, còn khi tăng giá trị của từ trường thì giá trị của hệ số hấp thụ tại các đỉnh cộng hưởng giảm. Ngoài ra, sử dụng phương pháp Profile chúng tôi thấy rằng độ rộng vạch phổ hấp thụ (FWHM) gần như không đổi ở nhiệt độ thấp và có phụ thuộc vào điện trường cho cả quá trình hấp thụ 1 photon và 2 photon.